DS-SPS200AR12G3-S04010010 Phòng phanh IGBT Chopper 1200V 200A

IGBT/ IGBT

Tối đa Giá trị định giá/ tối đa值

Điểm

Biểu tượng

Điều kiện

Giá trị

Đơn vị

集电极-发射极电压

Người sưu tầm...điện áp phát ra

VCES

Tvj=25°C

1200

V

连续集电极直流电流

Tiếp tục Bộ sưu tập DC hiện tại

Tôi...C

200

A

集电极重复峰值电流

Đỉnh bộ sưu tập lặp lại hiện tại

Tôi...CRM

tp=1ms

400

A

tổng mất điện

Tổng số sức mạnh dissốm

Pcon

TC= 25°C, Tvj=175°C

830

W

Đường điện cực cao

Điện áp tối đa của bộ phát điện cổng

VGES

±20

V

最高结温

Tối đa jnhiệt độ bôi

Tvj,tối đa

175

°C

Các giá trị đặc trưng/ 特征值

Điểm

Biểu tượng

Điều kiện

Chưa lâu. Typ. Max.

Đơn vị

集电极-发射极 和电压

Sản phẩm được thu thậpEr điện áp bão hòa

VCE(ngồi)

Tôi...C=200A,VGE=15V Tvj=25°C

1.80 2.25

V

Động lực điện áp cực

Điện áp ngưỡng cổng

VGE (th)

Tôi...C=6.7mA,VCE=VGE, Tvj=25°C

5.0 5.8 6.8

V

Động lực điện

Cổng phí

QG

VGE=-15V...+15V, Tvj=25°C

1.27

uC

内部 极电阻

Cổng bên trong resisơn

RGint

Tvj=25°C

6.5

Ω

输入电容

Năng lượng đầu vào

Cl

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

19.5

NF

Khả năng truyền điện ngược

Năng lượng chuyển đổi ngược

Cres

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

0.46

NF

集电极-发射极截止电流

Bộ sưu tập phát rater dòng cắt

Tôi...CES

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

1.00

mA

极- phát xạ cực lỗ điện

Đường phát ra dòng rò rỉ

Tôi...GES

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

500

nA

短路数据

SC dữ liệu

Tôi...SC

VGE ≤± 15V,tp ≤10us,VCC=600V, Tvj= 150°CVCE, tối đa=VCES-Ls.CE x di/dt

600

A

结-外 热阻

Nhiệt kháng cự, kết nối với trường hợp

RthJC

Theo IGBT / Mỗi người. IGBT

0.18

K/W

nhiệt độ làm việc

Nhiệt độ dưới chuyển đổi điều kiệnchúng

Tvjop

-40150

°C

Ngược lại Diode/ 逆二极管

Tối đa Giá trị định giá/ tối đa定值

Điểm

Biểu tượng

Điều kiện

Giá trị

Đơn vị

áp suất điện đỉnh ngược lặp lại

Đỉnh lặp đi lặp lại ngược voLtage

VRRM

Tvj=25°C

1200

V

liên tục dòng điện thẳng

Tiếp tục DC về phía trước hiện tại

Tôi...F

75

A

正向重复峰值电流

Đỉnh dòng điện lặp đi lặp lại

Tôi...FRM

tp= 1ms

150

A

Các giá trị đặc trưng/ 特征值

Điểm

Biểu tượng

Điều kiện

Chưa lâu. Nhất là.

Đơn vị

Áp suất điện thẳng

Điện áp phía trướce

VF

Tôi...F=70A

Tvj=25°C

Tvj=150°C

1.90

1.90

2.20

V

Đánh ngược dòng điện đỉnh hồi phục

Đỉnh ngược recovly hiện tại

Tôi...rm

Tôi...F=70A

Tvj=25°C

Tvj=150°C

45

60

A

Lực điện phục hồi ngược

Quay lại phục hồir phí

Qrr

- DiF/dttắt=1200A/μs

VR = 600 V

Tvj=25°C

Tvj=150°C

4

8

μC

Khấu trừ tổn thất hồi phục ngược (từng xung)

Quay lại năng lượng phục hồi (per tim)

ERec

VGE=-15V

Tvj=25°C

Tvj=150°C

1.2

2.5

mJ

结-外 热阻

Nhiệt kháng cự, kết nối với trường hợp

RthJC

Mỗi diode / Mỗi ống dẫn

0.6

K/W

nhiệt độ làm việc

Nhiệt độ dưới chuyển đổi điều kiệnchúng

Tvjop

-40 150

°C

Mô-đun/ 模块

Điểm

Biểu tượng

Điều kiện

Giá trị

Đơn vị

s

绝缘测试电压

Điện áp thử nghiệm cách ly

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Vật liệu của mô-đun tấm nền

Cu

内部绝缘

Nội bộ duy nhấtĐề nghị

基本绝缘(tầng lớp 1, IEC 61140)

Cơ bản cách nhiệt (tầng lớp 1, IEC61140)

Al2O3

爬电距离

Cree khoảng cách trang

端子-散热片/đầu cuối đến bể tản nhiệt

端子-端子/terminalL đến đầu ga.

17

20

mm

电气间隙

Phân loại

端子-散热片/đầu cuối đến bể tản nhiệt

端子-端子/terminalL đến đầu ga.

17

9.5

mm

Chỉ số dấu vết điện tương đối

Theo dõi so sánh chỉ số

CTI

> 200

Điểm

Biểu tượng

Điều kiện

Chưa lâu.

Nhập.

Max.

Đơn vị

杂散电感,模块

Khả năng dẫn độ lạc mô-đun

LsCE

30

nH

模块引脚电阻,端子- chip

Mô-đun Chất chì Khánge ,Chi-terminal

RCC ️+EE

RAA️+CC

0.65

mΩ

lưu trữ nhiệt độ

Nhiệt độ lưu trữ

Tthg

-40

125

°C

模块安装的安装扭距

Mô-men xoắn gắn cho mô-đun đồing

M

M6

3.00

5.00

Nm

模块安装的安装扭距

Mô-men xoắn gắn cho mô-đun đồing

M

M5

2.50

5.00

Nm

trọng lượng

Trọng lượng

G

155

g