Chi tiết sản phẩm
Số mô hình: SPS03NM15E3
Điều khoản thanh toán và vận chuyển
Solid Power-DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0
1500V 3A N-Channel MOS Discrete
1500V 3A MOSFET
Đặc điểm:
Thông thường Ứng dụng:
MOSFET MOSFET
Đặc điểm đầu ra MOSFET Đặc điểm chuyển MOSFET
IDS=f(VDS), Tvj=25°C IDS=f(VGS), VDS=20V, Tvj=25°C
Nguồn thoát bình thường trên kháng cự Nguồn thoát bình thường trên kháng cự
RDSon ((P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS) Tvj=25°C
IDS=1.3A VGS=10V VGS=10V
MOSFET
Đặc điểm phía trước của đặc điểm điện tích MOSFET Diode Gate
IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)
VDS=750V, IDS=3A, Tvj=25°C
MOSFET
Đặc điểm công suất MOSFET Phân tán công suất tối đa
C=f ((VDS) PD=f ((TC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz
Khu vực hoạt động an toàn bị lệch hướng dòng chảy tối đa (FBSOA)
ID=f(TC)
MOSFET
MOSFET cản nhiệt thoáng qua
ZthJC=f (t)
Đây là một N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) với điện áp 1500V và dòng điện 3A.MOSFET kênh N là các thiết bị bán dẫn thường được sử dụng trong các ứng dụng điện tử khác nhau1500V chỉ ra điện áp tối đa mà thiết bị có thể xử lý, trong khi 3A đại diện cho dòng điện tối đa mà nó có thể chứa.Trong các ứng dụng cụ thể, mạch truyền động và tiêu hao nhiệt thích hợp nên được xem xét để đảm bảo độ tin cậy và hiệu suất của MOSFET.
Gói phác thảo
