Các mô-đun GBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) với kích thước gói 34mm là các thiết bị điện tử điện năng được sử dụng cho các ứng dụng điện áp cao và dòng điện cao.Các mô-đun IGBT kết hợp các tính năng của cả MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) và các transistor kết nối song cực, cung cấp các lợi thế như khả năng điện áp cao, tổn thất trạng thái thấp và tốc độ chuyển đổi nhanh.